全志 T153MX-BCX 芯片的 DDR4 引脚中有数据引脚SA0~SA15，但DDR4 内存芯片，如 K4A8G165WC的地址引脚A14~A16是复用的：WE_n/A14，CAS_n/A15，RAS_n/A16， 通过引脚ACT_n引脚切换复用功能。

153MX-BCX 芯片没有说明哪个引脚对应ACT_n功能，芯片的 DDR4 引脚SA14和SA15引脚，是否为ACT_n功能？或其他功能？

用户手册关于DDR4的章节，只有一页说明，其他什么也没有

全志 T153MX-BCX 芯片的 DDR4 引脚中有数据引脚SA0~SA15，但DDR4 内存芯片，如 K4A8G165WC的地址引脚A14~A16是复用的：WE_n/A14，CAS_n/A15，RAS_n/A16， 通过引脚ACT_n引脚切换复用功能。

153MX-BCX 芯片没有说明哪个引脚对应ACT_n功能，芯片的 DDR4 引脚SA14和SA15引脚，是否为ACT_n功能？或其他功能？

用户手册关于DDR4的章节，只有一页说明，其他什么也没有

DDR4引脚说明，这不纯纯的废话吗？对应高8位还是低8位？咱能对照DDR4数据手册排查一遍吗？三星的DDR4就行。
SDQM0 →DRAM Data Mask Signal 0 I/O
SDQM1 →DRAM Data Mask Signal 1 I/O
SDQS0N →DRAM Bidirectional Data Strobe 0 (Active Low) I/O
SDQS0P →DRAM Bidirectional Data Strobe 0 (Active High) I/O
SDQS1N →DRAM Bidirectional Data Strobe 1 (Active Low) I/O
SDQS1P →DRAM Bidirectional Data Strobe 1 (Active High) I/O

找了半天，也没找到BG0引脚功能。就这3个bank选择引脚还对应不上，BG0，BA0，BA1。真要命
SBA0 DRAM Bank Address Signal 0 O
SBA1 DRAM Bank Address Signal 1 O
SBA2 DRAM Bank Address Signal 2 O

沙雕芯片开发放置的引脚位置，卡的死死的。根本就没有尝试实践一下布线！
6层板盘中孔，不支持盲埋孔，DDR线同组同层。没有困难人为制造困难。
1，整个芯片400个焊球位，最外圈3层为什么有NC（No Connection，无连接）引脚？纯纯占着茅坑不拉屎！智障玩意，你特么预留后面的芯片开发引脚，又做不到完全屏蔽？能不能放其他位置？
2，芯片中心预留一堆GND引脚，意思是GND不允许走TOP层，铺铜也不行。
3，拍脑袋的产品，工业控制根本用不上音频编解码器，HiFi4 DSP，红外收发器，咋想的，还以为是平板小家电或MP3/MP4呢？这些功能的实现有很大的不确定性，放在工业产品上意味着误操作，特别是机器设备