全志 T153MX-BCX 芯片的 DDR4 引脚中有数据引脚SA0~SA15,但DDR4 内存芯片,如 K4A8G165WC的地址引脚A14~A16是复用的:WE_n/A14,CAS_n/A15,RAS_n/A16, 通过引脚ACT_n引脚切换复用功能。
153MX-BCX 芯片没有说明哪个引脚对应ACT_n功能,芯片的 DDR4 引脚SA14和SA15引脚,是否为ACT_n功能?或其他功能?
用户手册关于DDR4的章节,只有一页说明,其他什么也没有

全志 T153MX-BCX 芯片的 DDR4 引脚中有数据引脚SA0~SA15,但DDR4 内存芯片,如 K4A8G165WC的地址引脚A14~A16是复用的:WE_n/A14,CAS_n/A15,RAS_n/A16, 通过引脚ACT_n引脚切换复用功能。
153MX-BCX 芯片没有说明哪个引脚对应ACT_n功能,芯片的 DDR4 引脚SA14和SA15引脚,是否为ACT_n功能?或其他功能?
用户手册关于DDR4的章节,只有一页说明,其他什么也没有

DDR4引脚说明,这不纯纯的废话吗?对应高8位还是低8位?咱能对照DDR4数据手册排查一遍吗?三星的DDR4就行。
SDQM0 →DRAM Data Mask Signal 0 I/O
SDQM1 →DRAM Data Mask Signal 1 I/O
SDQS0N →DRAM Bidirectional Data Strobe 0 (Active Low) I/O
SDQS0P →DRAM Bidirectional Data Strobe 0 (Active High) I/O
SDQS1N →DRAM Bidirectional Data Strobe 1 (Active Low) I/O
SDQS1P →DRAM Bidirectional Data Strobe 1 (Active High) I/O
找了半天,也没找到BG0引脚功能。就这3个bank选择引脚还对应不上,BG0,BA0,BA1。真要命
SBA0 DRAM Bank Address Signal 0 O
SBA1 DRAM Bank Address Signal 1 O
SBA2 DRAM Bank Address Signal 2 O
沙雕芯片开发放置的引脚位置,卡的死死的。根本就没有尝试实践一下布线!
6层板盘中孔,不支持盲埋孔,DDR线同组同层。没有困难人为制造困难。
1,整个芯片400个焊球位,最外圈3层为什么有NC(No Connection,无连接)引脚?纯纯占着茅坑不拉屎!智障玩意,你特么预留后面的芯片开发引脚,又做不到完全屏蔽?能不能放其他位置?
2,芯片中心预留一堆GND引脚,意思是GND不允许走TOP层,铺铜也不行。
3,拍脑袋的产品,工业控制根本用不上音频编解码器,HiFi4 DSP,红外收发器,咋想的,还以为是平板小家电或MP3/MP4呢?这些功能的实现有很大的不确定性,放在工业产品上意味着误操作,特别是机器设备