大佬们,T113-S3的spinand烧录固件失败,进度0%,请问怎么去排查问题
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大佬们,我抄MQ的原理图做了一块板子,烧录固件的时候没有进度,最终会烧录失败。我在淘宝买的MQ板子可以烧录进去,但是成功率也不是很高,一半左右,有可能是焊接的原因,因为这块板子买来不带SPINAND,是我自己用风枪吹上去的。请问怎么去逐步排查问题呢。
这是原理图
这是我的spinnad型号,我看过是支持的
这是我的布线,没有经过什么处理,就是拉通就行
这是我烧录的固件,就是《一板懂百板通》课程里提供的直接编译的。
89ca2c77-c637-4515-b84e-107691746162-tina_t113-100ask_uart3.img
这是烧录固件时的日志
[10860] IN 1
[10860] PnpFelIn current m_pEfexTool is NULL
[10860] D:\software\Allwinner-package\Tools\PhoenixSuit_Windows_2.0.0\tools.dll
[10860] .\image\ASuitImage.cpp release m_pEfexTool 805
[10860] Img_OpenItem now!
[10860] Img_OpenItem[PXTOOLSB][XXXXXXXXXXXXXXXX]
[10860] Closing image now!
[10860] CloseImage OK
[10860] The spec_tool.fex file is spec_tool_no.fex.
[10860] The spec_tool file is not exist.
[10860] Img_OpenItem now!
[10860] Img_OpenItem[PXTOOLSB][XXXXXXXXXXXXXXXX]
[10860] Closing image now!
[10860] CloseImage OK
[10860] ImageTools64 .\image\ASuitImage.cpp 573 0
[10860] **************************************
[10860] global_info_entry**
[10860] **************************************
[10860] [fel]++++++++RecordDev:\?\USB#VID_1F3A&PID_EFE8#5&37451978&0&1#{0e57c50f-0ccc-4ad2-a895-93c5ed119860}
[10860] ********* before Fel2Fes *********
[10860] ********* pFel2FesParam->extend = 0xefe8da00 *********
[10860] ***************************************
[10860] ToolEntry_fel****
[10860] ***************************************
[10860] PANIC : enter fel choose mode
[10860] fel other=0xc95f90
[10860] OS SourceCodePage = 936
[10860] WRN: fail in LoadPluginCenter, f(IniLanPlg)L45
[10860] WRN: f(exist_multiple_lang_tips)L94, Fail to init plg of iniLan, "Please update LiveSuit"
[10860] user choose to erase all
[10860] Img_OpenItem now!
[10860] Img_OpenItem[FES ][FES_1-0000000000]
[10860] down file length = 4b80.
[10860] magic eGON.BT0柎紸€K, it is fes1
[10860] down and run fes1 at addr 0x28000
[10860] Clear dram log OK.
[10860] DOWN FES1_dram OK
[10860] dram paras[0]: 0x3a8
[10860] dram paras[1]: 0x3
[10860] dram paras[2]: 0x7b7bfb
[10860] dram paras[3]: 0x0
[10860] dram paras[4]: 0x10d2
[10860] dram paras[5]: 0x800000
[10860] dram paras[6]: 0x1e14
[10860] dram paras[7]: 0x42
[10860] dram paras[8]: 0x20
[10860] dram paras[9]: 0x0
[10860] dram paras[10]: 0x4899d7
[10860] dram paras[11]: 0x1c241d0
[10860] dram paras[12]: 0xa4073
[10860] dram paras[13]: 0xb4787896
[10860] dram paras[14]: 0x0
[10860] dram paras[15]: 0x48484848
[10860] dram paras[16]: 0x48
[10860] dram paras[17]: 0x1620121e
[10860] dram paras[18]: 0x0
[10860] dram paras[19]: 0x0
[10860] dram paras[20]: 0x0
[10860] dram paras[21]: 0x340000
[10860] dram paras[22]: 0x46
[10860] dram paras[23]: 0x34006103
[10860] dram paras[24]: 0x0
[10860] dram paras[25]: 0x0
[10860] dram paras[26]: 0x0
[10860] dram paras[27]: 0x0
[10860] dram paras[28]: 0x0
[10860] dram paras[29]: 0x0
[10860] dram paras[30]: 0x0
[10860] dram paras[31]: 0x0
[10860] RUN fes1 OK.
[10860] INFO: try to down and run fes2
[10860] Img_OpenItem now!
[10860] Img_OpenItem[12345678][UBOOT_0000000000]
[10860] fes2 size 0xac000
[10860] uboot down and run addr 0x43000000
[10860] dtb_syscfg_base 0x43200000
[10860] INFO: try to down dtb at 0x43200000
[10860] Img_OpenItem now!
[10860] Img_OpenItem[COMMON ][DTB_CONFIG000000]
[10860] down_dtb_syscfg size 0xe800
[10860] INFO: try to down soc cfg at 0x43300000
[10860] Img_OpenItem now!
[10860] Img_OpenItem[COMMON ][SYS_CONFIG_BIN00]
[10860] down_dtb_syscfg size 0x1800
[10860] INFO: try to down board cfg at 0x43380000
[10860] Img_OpenItem now!
[10860] Img_OpenItem[COMMON ][BOARD_CONFIG_BIN]
[10860] down_dtb_syscfg size 0x400
[10860] INFO: down dtb syscfg OK
[10860] INFO: down fes2 ok
[10860] INFO: run fes2 ok
[10860] Closing image now!
[10860] CloseImage OK
[10860] *********** after Fel2Fes *********
[10860] Wait for fes device timeout -
1.MQ的板子,需要设备树设置WP HOLD内部上拉,不然烧录和运行不稳定
2.检查uboot设备树是否开启spi nand
3.参考:https://whycan.com/t_10074.html -
@fanhuacloud
大佬,这两个引脚已经有了外部的上拉电阻,uboot设备树也已经开启spi nand,因为有时候是可以成功烧录的,但是成功率不高。这个布线是不是还存在问题
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@wd15365693548 那个SPI CLK的33Ω换0欧试试...
- SPI算是连连看里的最高速线路了, 其实最好蛇形走位等长一下
- 关键的(高速)通信线路MISO, MOSI, CLK居然做了两个过孔, 实属不应该
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@aldfaaa 大佬,我把33Ω换成了0Ω的试了几下,成功概率确实比33Ω高一点,但失败概率依旧很高,替换这个是出于阻抗考虑吗?
把spiflash放正面是想让clk不用打过孔的,但是放正面mosi和miso避免不了需要两个孔来和clk交叉开,可否提供一点建议还发现了一个问题,下面是晶振,我不小心把一部分的包地过孔删掉了,这个会不会也是一个影响因素846f1842-4652-4f7a-b84c-9d85cda22427-image.png
还有个问题就是mosi和miso差不多是等长的,但中间夹了一个,这是一个重要的错误吗
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@wd15365693548 烧录还有USB部分线路是比较高速的, 那部分不稳定也会导致烧录失败噢
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@aldfaaa 还有就是如果烧录的话建议使用台式机的背后USB3.0 接口,干扰会便宜点。数据线可以使用质量好一点的。比如手机原装充电线
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@dingding_go 谢谢大佬,我买了个新的更短的线,依旧没有成功,最后发现是mosi下拉时间长的导致的,在Phoenixsuit显示开始烧录固件的时候就要松开下拉,超过一秒就会烧录失败,我是给背面留的测试点用于下拉,所以每次松开都不及时,每次都失败
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@aldfaaa 谢谢大佬,最后发现是mosi下拉时间长的导致的,在Phoenixsuit显示开始烧录固件的时候就要松开下拉,超过一秒就会烧录失败,我是给背面留的测试点用于下拉,所以每次松开都不及时,每次都失败,飞了个按键,及时松开下拉就可以了,也是偶然发现的,网上贴子里也没人提过这个
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请问一下有试过是NAND FLASH的问题吗~画了个D1s的板子,烧录卡在0%。SD卡烧录能启动。硬件连接都是没问题的,怀疑是NAND Flash的问题
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@jacker 我跟你一样,请问你解决了吗
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