V853 E907小核 DDR配置修改后烧录镜像失败

[wangxiankang]

我需要boot0阶段启动E907小核，使用默认的4M配置可以正常启动，运行正常。

由于小核上移植了lvgl，编出的固件超出了4M，于是我尝试着修改配置想要提高到16M，修改了一下几处配置，编译打包无报错，烧录固件报错。请问这个还需要修改哪里呀？

烧录报错如下：

当前修改位置如下：

设备树:
reserved-memory {
e907_dram: riscv_memserve {
/* 16M */
reg = <0x0 0x48000000 0x0 0x01000000>;
no-map;
};

};

&e907_rproc {
memory-region = <&e907_dram>, <&vdev0buffer>,
<&vdev0vring0>, <&vdev0vring1>;
memory-mappings =
/* DA len PA /
/ DDR for e907 16M*/
< 0x48000000 0x01000000 0x48000000 >;
// iommus = <&mmu_aw 5 1>;
firmware-name = "melis-elf";
status = "okay";
};

小核相关：
make menuconfig:

Platform Setup

CONFIG_DRAM_PHYBASE=0x48000000
CONFIG_DRAM_VIRTBASE=0x48000000
CONFIG_DRAM_SIZE=0x01000000

链接脚本：
lichee/melis-v3.0/source/projects/v853-e907-ver1-board/kernel.lds
MEMORY
{
/*SRAM: 64K */
SRAM_SEG (rwx) : ORIGIN = 0x00020000, LENGTH = 0x00010000

/*DRAM_KERNEL: 16M */
DRAM_SEG_KRN (rwx) : ORIGIN = 0x48000000, LENGTH = 0x01000000
}

结果：编译打包无报错，烧录报错！！！